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第二代高壓超結(Super Juntion)MOSFET技術


采用先進的耐壓原理和優化的設計結構,全新700~900V  SJ-MOS Ⅱ系列產品為系統應用提供充足的耐壓余量,簡化系統設計難度,提高系統可靠性,滿足客戶對高耐壓、低導通電阻和高效率超結MOSFET的需求。

 

特性:

- 更高的耐壓為系統設計和應用提供更充足的余量

- 更低的導通電阻,利于降低導通損耗

- 極低的柵極電荷,提供更快的開關速度

- 同規格下更小的封裝體積,使系統更輕便

- 100% 雪崩能力測試,確保產品質量可靠

應用:

- 正激電路

- 準諧振反激電路

- 適配器

- 太陽能逆變器

- 工業整流

 

性能卓越

 


選擇指南



Vce

R(on)

 SOP-8

TO-251S

TO-251

TO-252

TO-263

TO-220F

TO-220

 .

700V

1.2Ω

NCE70R1K2S

NCE70R1K2L

NCE70R1K2I

NCE70R1K2K

NCE70R1K2D

NCE70R1K2F

NCE70R1K2

700V

0.87Ω

-

NCE70R900L

NCE70R900I

NCE70R900K

NCE70R900D

NCE70R900F

NCE70R900

700V

0.54Ω

-

NCE70R540L

NCE70R540I

NCE70R540K

NCE70R540D

NCE70R540F

NCE70R540

700V

0.36Ω

 - 

-

 -

NCE70R360K

NCE70R360D

NCE70R360F

NCE70R360

700V

0.26Ω

-

-

 -

-

NCE70R260D

NCE70R260F

NCE70R260

700V

0.17Ω

-

-

 -

 -

 -

NCE70R180F

NCE70R180

800V

1.0Ω

-

NCE80R1K2L

NCE80R1K2I

NCE80R1K2K

NCE80R1K2D

NCE80R1K2F

NCE80R1K2

800V

0.82Ω

-

NCE80R900L

NCE80R900K

NCE80R900D

NCE80R900F

NCE80R900F

NCE80R900

900V

1.0Ω

-

NCE90R1K2L

NCE90R1K2I

NCE90R1K2K

NCE90R1K2D

NCE90R1K2F

NCE90R1K2


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